Jonctiunea p-n este un semiconductor eterogen constituit din doua regiuni cu conductibilitate de tip opus (p si n ), care formeaza o singura retea cristalina.

Procese

1. In absenta unei tensiuni aplicate din exterior,

  * - o parte din golurile libere ale regiunii p (aflate in zona de vecinatate), difuzeaza in regiunea n , unde se recombina cu electronii;

  * - o parte din electronii liberi ai regiunii n (aflati in zona de vecinatate), difuzeaza in regiunea p , unde se recombina cu golurile.

Prin plecarea golurilor in regiunea n si a electronilor in regiunea p, vor aparea in cele doua regiuni doua sarcini electrice spatiale, de sens opus (constituite din acceptori si donori ionizati).

Aceste sarcini electrice creeaza un camp electric indreptat de la n spre p si produc o bariera de potential care se opune difuziei purtatorilor majoritari, favorizand trecerea prin jonctiune a purtatorilor minoritari.

La echilibru termic:

- curentul de goluri produs prin difuzie este egal cu curentul de goluri produs sub influenta curentului electric;

- curentul de electroni produs prin difuzie este egal cu curentul de electroni produs sub influenta curentului electric.

Rezulta ca, in ansamblu, semiconductorul este neutru.

2. Daca se aplica jonctiunii o tensiune din exterior.

Clasificare

O jonctiune se obtine sub forma unui monocristal semiconductor (de germaniu sau de siliciu) prin divere procedee.

Clasificarea jonctiunilor dupa procedeul de realizare:

          - Jonctiune prin aliere

          - Jonctiune prin difuzie (jonctiune difuzata)

          - Jonctiune prin crestere epitaxiala

Procedee tehnologice

     * Procedeele tehnologice utilizate pentru obtinerea materialelor semiconductoare pot fi utilizate si la realizarea jonctiunilor inlocuind materialul semiconductor intrinsec cu un material semiconductor impurificat convenabil.

     * Procedeul de aliere

     * Procedeul de difuzie

- prin tehnologie planara

- prin tehnologie mesa

- prin combinatia acestora cu tehnologie epitaxiala

 
    * Procedeul de crestere epitaxiala